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吉林硅基氮化鎵器件及電路芯片開發

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南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務,該芯片電路工作頻段達到1.5THz;適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設計與加工服務,GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術解決方案。研究院可根據客戶需求進行定制化開發,可應用于太赫茲混頻、倍頻、檢波等技術方向。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將不斷提高研發水平,為客戶提供更好的服務。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司太赫茲測試設備可以達到500GHz的測試頻率。吉林硅基氮化鎵器件及電路芯片開發

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南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務,該芯片相對于Si LDMOS,具有工作頻率高、功率大、體積小等優勢;相對于傳統SiC基GaN芯片,具備低成本、高密度集成、大尺寸等優勢;適應于C、Ka、W等主流波段的攻放、開關、低噪放等芯片;南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務;該芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽車雷達、手機終端、人工智能等領域。吉林碳納米管芯片測試南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供太赫茲放大器系列芯片技術開發服務。

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南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司熱情歡迎上下游企業入駐園區。中電芯谷科技產業園位于南京秦淮區,是一個擁有完善基礎設施的現代化產業園區。中電芯谷科技產業園以高科技產業為主,聚集了多家企業。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司作為中電芯谷科技產業園的重要組成部分,自成立以來致力于高頻器件的研發。公司擁有多項重要技術和成果。同時,公司也非常重視與上下游企業的合作與交流,在產品設計、市場營銷等方面積極尋求合作伙伴,推動產業鏈的不斷完善與創新,對于提升整個產業的競爭力和市場份額具有積極的意義。中電芯谷科技產業園還提供完備的服務支持,包括研發創新、財務稅務、人力資源、營銷推廣等方面的專業指導和支持,幫助入駐企業在競爭激烈的市場中立足并獲得成功。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司誠邀各位上下游企業加入中電芯谷科技產業園,共同謀求發展和進步,為行業帶來更多的創新和機遇。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺可為客戶提供全流程芯片制造工藝技術服務。平臺擁有先進的設備和專業的團隊,通過多道工藝環節,包括光刻、金屬化、高溫處理、鍵合等,提供技術支持,幫助客戶實現芯片從設計到制造的全過程。該技術服務平臺的優勢在于,能夠為客戶提供高效、準確、定制化的服務。不論是在工藝的選擇,還是在設備操作和技術咨詢方面,平臺都能夠全力滿足客戶的需求。從技術咨詢,到流片調試、產品測試,研究院將貼心地為客戶提供技術服務。芯谷高頻研究院的CVD用固態微波功率源產品可滿足CVD設備對高可靠、高集成、高微波特性的需求,提升穩定性。

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南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺是一家專業提供先進芯片工藝技術服務、微組裝及測試技術服務的機構。該平臺匯聚了一支經驗豐富、技術精湛的團隊,致力于為客戶提供技術支持和解決方案。在芯片工藝技術服務方面,平臺具備先進的工藝設備,能夠提供高質量的工藝服務,包括制程設計、工藝優化、工藝流程開發、單步或多步工藝代工等方面的支持,幫助客戶實現芯片制造的各項工藝。此外,平臺還擁有先進的微組裝及測試設備,為客戶提供器件及電路的測試、模塊組裝等服務。這些服務包括微組裝技術、封裝工藝、器件測試等方面的技術支持,以保證客戶的產品性能。平臺以客戶需求為導向,注重與客戶的密切合作,為客戶提供一站式的技術服務和解決方案。秉承著技術創新和持續改進的理念,南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺將不斷提升技術實力,豐富技術服務內容。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司提供定制化的SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務。北京碳納米管芯片加工

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供光電器件及電路技術開發。吉林硅基氮化鎵器件及電路芯片開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的主要產品之一是高功率密度熱源產品,該產品由熱源管芯和熱源集成外殼組成,并采用了先進的厚金技術。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進行金錫等焊料集成,也滿足與外殼集成后,在任意熱沉進行機械集成。這種靈活的設計使得熱源可以根據客戶的要求進行定制,尺寸可以進行調整。這款高功率密度熱源產品適用于微系統或微電子領域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術開發。同時,它還可以對熱管理技術進行定量的表征和評估。公司可以根據客戶的需求,設計和開發各種熱源微結構及其功率密度。這款產品不僅具有高功率密度,還具有良好的可定制性和適應性。吉林硅基氮化鎵器件及電路芯片開發

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