前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開關速度，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅動電流，使用時應根據需要取舍。②盡管IGBT所需驅動功率很小，但由于MOSFET存在輸入電容Cin，開關過程中需要對電容充放電，因此驅動電路的輸出電流應足夠大，這一點設計者往往忽略。假定開通驅動時，在上升時間tr內線性地對MOSFET輸入電容Cin充電，則驅動電流為Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R為輸入回路電阻。③為可靠關閉IGBT，防止擎住現象，要給柵極加一負偏壓，因此采用雙電源供電。IGBT集成式驅動電路IGBT的分立式驅動電路中分立元件多，結構復雜，保護功能比較完善的分立電路就更加復雜，可靠性和性能都比較差，因此實際應用中大多數采用集成式驅動電路。日本富士公司的EXB系列集成電路、法國湯姆森公司的UA4002集成電路等應用都很廣。IPM驅動電路設計IPM對驅動電路輸出電壓的要求很嚴格，具體為:①驅動電壓范圍為15V±10%?熏電壓低于13．5V將發生欠壓保護，電壓高于16．5V將可能損壞內部部件。②驅動電壓相互隔離，以避免地線噪聲干擾。③驅動電源絕緣電壓至少是IPM極間反向耐壓值的兩倍(2Vces)。④驅動電流可以參閱器件給出的20kHz驅動電流要求。器件自身產生的故障信號是非保持性的，如果tFO結束后故障源仍舊沒有排除，IPM就會重復自動保護的過程。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價

對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖；圖7為本發明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖8為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖9為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖10為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖11為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖12為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖13為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖14為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖15為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的結構示意圖；圖16為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖。圖標：1-電流傳感器；10-工作區域；101-一發射極單元。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價當IPM發生UV、OC、OT、SC中任一故障時，其故障輸出信號持續時間tFO為1．8ms(SC持續時間會長一些)。

公共柵極單元與一發射極單元和第二發射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區域和電流檢測區域的公共集電極單元；接地區域設置于一發射極單元內的任意位置處；電流檢測區域和接地區域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產生電壓，并根據電壓檢測工作區域的工作電流。本申請避免了柵電極因對地電位變化造成的偏差，提高了檢測電流的精度。本發明實施例提供的半導體功率模塊，與上述實施例提供的一種igbt芯片具有相同的技術特征，所以也能解決相同的技術問題，達到相同的技術效果。所屬領域的技術人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的半導體功率模塊的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的igbt芯片對應過程，在此不再贅述。另外，在本發明實施例的描述中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。在本發明的描述中，需要說明的是。

空穴收集區8可以處于與一發射極單元金屬2隔離的任何位置，特別的，在終端保護區域的p+場限環也可以成為空穴收集區8，本發明實施例對此不作限制說明。因此，本發明實施例提供的igbt芯片在電流檢測過程中，通過檢測電阻上產生的電壓，得到工作區域的電流大小。但是，在實際檢測過程中，檢測電阻上的電壓同時抬高了電流檢測區域的mos溝槽溝道對地電位，即相當降低了電流檢測區域的柵極電壓，從而使電流檢測區域的mos的溝道電阻增加。當電流檢測區域的電流越大時，電流檢測區域的mos的溝道電阻就越大，從而使檢測電壓在工作區域的電流越大，導致電流檢測區域的電流與工作區域電流的比例關系偏離增大，產生大電流下的信號失真，造成工作區域在大電流或異常過流的檢測精度低。而本發明實施例中電流檢測區域的第二發射極單元相當于沒有公共柵極單元提供驅動，即對于igbt芯片的電子和空穴兩種載流子形成的電流，電流檢測區域的第二發射極單元只獲取空穴形成的電流作為檢測電流，從而避免了檢測電流受公共柵極單元的電壓的影響，以及測試電壓的影響而產生信號的失真，即避免了公共柵極單元因對地電位變化造成的偏差，從而提高了檢測電流的精度。實施例二：在上述實施例的基礎上。此時間內IPM會門極驅動，關斷IPM;故障輸出信號持續時間結束后，IPM內部自動復位，門極驅動通道開放。

滑環12的底部固定連接有與傳動桿10配合使用的移動框13，移動框13位于圓盤9的前側，傳動桿10的前端延伸至移動框13的內部，傳動桿10的表面與移動框13的內壁接觸，移動框13的底部固定連接有導向桿19，容納槽2內壁的底部開設有導向槽20，導向桿19與導向槽20滑動連接，通過設置導向桿19和導向槽20，能夠增加移動框13移動的穩定性，防止移動框13移動時傾斜，滑環12的頂部固定連接有移動板14，移動板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動板14內側的頂部固定連接有卡桿15，底座1的頂部設置有igbt功率模塊本體16，igbt功率模塊本體16底部的兩側均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部與底座1的頂部接觸，通過設置橡膠墊21，能夠增加igbt功率模塊本體16與底座1的摩擦力，防止igbt功率模塊本體16在底座1的頂部非正常移動，igbt功率模塊本體16兩側的底部均開設有卡槽17，卡桿15遠離移動板14的一端延伸至卡槽17的內部，通過設置底座1、容納槽2、一軸承3、蝸桿4、轉盤5、第二軸承6、轉軸7、蝸輪8、圓盤9、傳動桿10、滑桿11、滑環12、移動框13、移動板14、卡桿15、igbt功率模塊本體16和卡槽17的配合使用，解決了現有igbt功率模塊的安裝機構操作時繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問題。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價

小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價

本發明實施例還提供了一種半導體功率模塊，如圖15所示，半導體功率模塊50配置有上述igbt芯片51，還包括驅動集成塊52和檢測電阻40。具體地，如圖16所示，igbt芯片51設置在dcb板60上，驅動集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接，以便于驅動工作區域10和電流檢測區域20工作；si端口通過模塊引線端子521與檢測電阻40連接，用于獲取檢測電阻40上的電壓；以及，gnd端口通過模塊引線端子521與電流檢測區域的一發射極單元101引出的導線522連接，檢測電阻40的另一端還分別與電流檢測區域的第二發射極單元201和接地區域連接，從而通過si端口獲取檢測電阻40上的測量電壓，并根據該測量電壓檢測工作區域的工作電流。本發明實施例提供的半導體功率模塊，設置有igbt芯片，其中，igbt芯片上設置有：工作區域、電流檢測區域和接地區域；其中，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相對設置；一表面上設置有工作區域和電流檢測區域的公共柵極單元，以及，工作區域的一發射極單元、電流檢測區域的第二發射極單元和第三發射極單元，其中，第三發射極單元與一發射極單元連接。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價

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